杂质在半导体的晶格中按照所占位置可分为两种：一种是替位型杂质；另一种是间隙型杂质。替位型杂质在半导体的晶格中“咭宾夺主”，把半导体晶格中的一些原子“赶走”而去占领它们的位置。因

为杂质原子与半导体原子的结合牛径不同，因此使周围的原子受到应力。大多数电活性杂质都属于这种结构。另一类杂质进入半导体晶格中只能挤入半导体原子间的夹缝
里，这类杂质称为间隙型杂质，它们对周围的原子起应力作用．艮然，不管哪类情况，都会给材料的晶格常量带来变化。将这些变化再加上杂质与半导体原子的相互作用力就构成了材料力学强度的变化

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