当纯度进入定量的概念时，就需要有一个明确的表达方式。这一问题看起来十分简单，但在实际应用中却是一个很复杂的问题。鸿贝蓄电池开始对纯度表达的方式是用“l”减去杂质含量所求得的差值。例如，用于

导电的铜，一般分析Bi、Sb、As、Fe、川、Ph、轧、S、()、Zn十个杂质，其含量的总和不大于o．05％，所以这种铜的纯度则认为是99．95％。一般按多少个“9”来表达，即为3个9。9的英文为nin，，

因此3个9又可表达为3N。
鸿贝蓄电池提示您：硼对多晶硅的影响极大，因此在工作巾，多晶硅常常以自己的硼含量作为纯度的主要标志。在化学提纯过程中，硼以化合物形式存在于硅的卤化物中，硼是很难去除的；在物理提纯中，由于硼在砖中的

分凝系数为o．8，接近于1(区域提纯是利用杂质的偏析性质来完成的，分凝系数＝1，就是液体凝结前后的杂质相同，就等于没有偏析现象)，故用区域提纯的方法，对除硼的效果也不显著。但对其他杂

质来说，采用区域提纯的方法来提纯还是可以的，见表2—2。
此外，硼是三价元素，多晶硅的硼含量与准确度对制备掺杂(N型或P型)单晶硅都有影响，因此，必须准确地测出多晶硅的硼含量。多晶硅的硼含量越低，则说明多晶硅的质量越好，反之越差。一般多晶

硅的硼含量应低于1ppb，质量好的可以达到o．05l，pb。
上述表示方式用于表达要求纯度不太高的材料则问题不大，但是用来表达半导体材料等高纯度产品时，则很容易发现，如果分析的杂质种类越多，则杂质的总含量就越高，所表达的纯度值也就越低。特

别是当要求的纯度很高时，所要求的杂质含量都接近其检测限，如果把未检测的杂质种类按检测限计算，再加上检测出的含量，会得出一个较大的杂质含量，以此表达的纯度就不会很高。另外，如果一

种半导体材料，由分析所得的N数很高，但有一个关键的杂质没有分析，这种高的纯度表达却不能真实反映牛导体材料的纯度性能。当然，最理想的方法是能分析主体元素含量，使其所得的有效数字能在

6位以上，可惜现在还没有这种方法。补救这种表达方式的局限性的途径是在标出多少“N”的同时还要标出所分析的杂质及其各自的含量。对现在用于半导体的高纯元素一般只分析其中lo个左右的杂质

元素，这些杂质是对半导体起关键作用的。如果把所有杂质的分析都加上，就远不会有那么多个“N”了。
由于微量的杂质会影响半导体的导电性能，而且这种影响是有规律性的，鸿贝蓄电池材料的电阻串越高，其纯度就鹧高。因此，在半导体行业中有用一种测量半导体材料电阻率来检测纯度的方法。这种方法很简单

，而且还可以表示出总纯度，因此在生产中大量被采用。
在半导体行业中，这种方法不仅用来测量半导体材料，而且还用来测量水的纯度。
此种方法虽简单明了，但不能指明材料中有哪些杂质，更不能知道它们各自的含量。
出自：鸿贝蓄电池